本課程之目的：在介紹半導體晶片製造中之主要製程：物理、化學、應用電子、熱流、等相關的理論，及使用之機械設備、及技術演進。以供機械或其他相關科系有興趣之同學修習，以便對國家重要產業有所瞭解。所須之基礎科目為物理和化學。 內容包括(1)半導體產業之演進史和Moore's Rule(2)半導體原料之物理和化學特性：波爾原子結構,週期表,3/4/5族元素特性(3) Cz柴氏長晶法、LEC長晶法、單晶柱和晶圓之備製流程(4)無塵室之介紹：級數分類、污染之來源,分類(5)晶片製造之良率(6)晶片氧化和熱處理技術: SiO2之重要性、快速熱製程(輻射原理)(7)晶片感光微顯影技術：光阻種類/光罩種類、光阻塗敷、烘焙、蝕刻 (種類:乾濕式)、光罩(8)攙雜:擴散法和離子植入法原理,重要性(9)薄膜沉積，主要內容著重於CVD原理：鍍膜/磊晶技術之熱傳，流場，質傳與電漿理論。 因為這些理論會深深影響化學氣相沈積，氣相磊晶，金屬有機氣相沈積等製程的品質和效率，另外也將介紹快速熱製程：輻射原理。(10)金屬化：E-Gun、Sputter、真空幫浦原理(11)I.C.測試、架導線、及封裝。